磁控濺射/真空蒸發(fā)復(fù)合型鍍膜設(shè)備將磁控濺射技術(shù)和真空蒸發(fā)技術(shù)結(jié)合在同一鍍膜設(shè)備里，既利用磁控濺射陰極輝光放電將靶材原子濺出并部分離化沉積在基材上成膜，同時又可利用在真空中以電阻加熱將金屬鍍料熔融并讓其汽化再沉積在基材上成膜。增加了設(shè)備的用途和靈活性。該設(shè)備應(yīng)用于手機殼等塑料表面金屬化，應(yīng)用于不導(dǎo)電膜和電磁屏蔽膜沉積。

磁控濺射/真空蒸發(fā)復(fù)合型鍍膜設(shè)備配置了等離子體處理裝置，高效磁控濺射陰極和電阻蒸發(fā)裝置等，設(shè)備沉積速率快，鍍層附著力好，鍍層細(xì)膩致密，表面光潔度高，且均勻性一致性良好；該機實現(xiàn)鍍膜工藝全自動化控制，裝載量大，工作可靠，合格率高，生產(chǎn)成本低，綠色環(huán)保。該設(shè)備主要廣泛應(yīng)用于電腦殼、手機殼、家用電器等行業(yè)，可鍍制金屬膜、合金膜、復(fù)合膜層、透明（半透明）膜、不導(dǎo)電膜、電磁屏蔽膜等。

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項目		明細(xì)
產(chǎn)品型號		CY-MS300EV-I-DC-SS
供電電壓		AC220V，50Hz
整機功率		4KW
系統(tǒng)真空		≦5×10-4Pa
樣品臺	外形尺寸	φ185mm
	加熱溫度	≦500℃
	控溫精度	±1℃
	可調(diào)轉(zhuǎn)速	≦20rpm
磁控靶槍	靶材尺寸	直徑Φ50.8mm，厚度≦3mm
	冷卻模式	循環(huán)水冷
	水流大小	不小于10L/Min
蒸發(fā)系統(tǒng)	蒸發(fā)源	鎢絲籃
	*高溫度	1500℃
真空腔體	腔體尺寸	直徑φ300mm，高度300mm
	腔體材質(zhì)	SUU304不銹鋼
	觀察窗口	直徑φ100mm
	開啟方式	頂開式
氣體控制		1路質(zhì)量流量計用于控制Ar流量，量程為:200SCCM
真空系統(tǒng)		配分子泵系統(tǒng)1套，氣體抽速600L/S
膜厚測量		可選配石英晶體膜厚儀，分辨率0.10 ?
濺射電源		配直流電源,功率500W
控制系統(tǒng)		CYKY自研專業(yè)級控制系統(tǒng)
設(shè)備尺寸		1090mm×900mm×1250mm
設(shè)備重量		350kg